长鑫科技：拟 241 亿元和 108 亿元分别投建技术研发项目、存储器晶圆后道测试基地二期项目

长鑫科技 9 月 28 关于使用部分超募资金投资建设新项目的公告日晚发布。

长信科技拟使用超募资金 130 投资新技术研发项目1亿元，计划通过增资和贷款方式向全资子公司长鑫储存产品 (合肥) 有限公司提供超募资金 50 投资新建存储晶圆后道检验基地二期工程1亿元。

技术研发项目：主要用于技术研发，项目总投资额度 241 1亿元，建设周期 30 个月。

长鑫储存产品(合肥)有限公司晶圆储存后检验基地二期工程:计划建设检测厂 DRAM 存储芯片提供测试和模块组装，项目总投资额度 108 1亿元，建设周期 37 个月。

长鑫科技表示，测试是 DRAM 生产中不可缺少的重要环节，但由于其特殊设备的检测特点，随着公司生产能力的不断提高和产品类型的增加，将面临外部密封试验厂检验生产能力不足和新投资配套设施不足的问题。为了确保检测能力不成为限制企业生产能力的瓶颈，确保供应链安全，公司急需增加对自建检测能力的投资。

同时，通过自建存储晶圆后道测试和模块工程，可以更灵活地协调生产能力的应用，减少企业 DRAM 芯片测试成本，提高企业经营效率和测试技术，有利于公司进一步完善 IDM 提升公司整体竞争力的途径。

 

 

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